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NXP Semiconductors
PESDxL4UF/G/W
Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 1. 8/20 μ s pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
Fig 2. ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-2
6. Characteristics
Table 9. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
PESD3V3L4UF
-
-
3.3
V
PESD3V3L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UF
-
-
5.0
V
PESD5V0L4UG
PESD5V0L4UW
I RM
reverse leakage current
PESD3V3L4UF
V RWM = 3.3 V
-
75
300
nA
PESD3V3L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UF
V RWM = 5.0 V
-
5
25
nA
PESD5V0L4UG
PESD5V0L4UW
V BR
breakdown voltage
I R = 1 mA
PESD3V3L4UF
5.32
5.6
5.88
V
PESD3V3L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UF
6.46
6.8
7.14
V
PESD5V0L4UG
PESD5V0L4UW
PESDXL4UF_G_W_4
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 28 February 2008
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